Основные характеристики ЭВМ единой системы
| Параметры ЭВМ | Тип ЭВМ, страна-изготовитель, год разработки |
| ЕС-1010 | ЕС-1020 | ЕС-1021 | ЕС-1030 | ЕС-1040 | ЕС-1050 | ЕС-1022 | ЕС-1032 | ЕС-1033 | ЕС-1060 |
| ВНР, 1972 | СССР, 1971 | ЧССР, 1972 | СССР, ПНР, 1971 | ГДР, 1971 | СССР, 1972 | СССР, 1975 | ПНР, 1975 | СССР, 1977 | СССР, 1977 |
| Процессор: | | | | | | | | | | |
| производительность, тыс. операций в 1 сек | 10 | 20 | 40 | 100 | 350 | 500 | 80 | 200 | 200 | 2000 |
| разрядность | 18 | 8 | 64 | 32 | 64 | 64 | 8 | 32 | 32 | 64 |
| Оперативная память: | | | | | | | | | | |
| ёмкость, кбайт | 8—64 | 64—256 | 16—64 | 256—512 | 128—1024 | 256—1024 | 128—512 | 128—1054 | 512—1024 | 2048—8192 |
| цикл обращения, мксек | 1,0 | 2,0 | 2 | 1,25 | 1,00 | 1,25 | 2 | 1,2 | 1,25 | 0,65 |
| Селекторные каналы: | | | | | | | | | | |
| количество | 1 | 2 | 2 | 3 | 6 | 6 | 2 | 3 | 3 | 2 |
| скорость передачи, кбайт/сек | 200 | 800 | 250 | 800 | 1250 | 1250 | 500 | 1100 | 800 | 1300 |
| Мультиплексный канал: скорость передачи, кбайт/сек : | | | | | | | | | | |
| монопольный режим | 200 | 100 | 220 | 300 | 670 | 670 | 300 | 470 | 350 | 670 |
| мультиплексный режим | 30 | 16 | 35 | 40 | 110 | 110 | 40 | 145 | 70 | 110 |
| число разделённых подканалов | 135 | 128 | 128 | 128 | 192 | 192 | 128 | 196 | 256 | 224 |
| Потребляемая мощность, ква | 12 | 21 | 13 | 27 | 60 | 100 | 25 | 23 | 25 | 80 |
Лит.: Шелихов А. А., Селиванов Ю. П., Вычислительные машины, М., 1973; Единая система ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1974; Система документации единой системы ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1975.
В. Н. Квасницкий.
Электронограф
Электроно'граф, прибор для исследования атомного строения твёрдых тел и газовых молекул с помощью дифракции электронов (см. Электронография ). Э. — вакуумный прибор, его схема аналогична схеме электронных микроскопов . В колонне, основном узле Э., электроны, испускаемые катодом — раскалённой вольфрамовой нитью, разгоняются высоким напряжением (20—1000 кв — быстрые электроны и до 1 кв — медленные электроны). С помощью диафрагм и магнитных линз формируется узкий электронный пучок, который направляется в камеру объектов на исследуемый образец, установленный на специальном столике. Рассеянные электроны попадают в фотокамеру и на фотопластинке (или экране) создаётся дифракционная картина (электронограмма), которую можно рассматривать как визуально, так и с помощью вмонтированного в Э. микроскопа. Э. снабжают различными устройствами для нагревания, охлаждения, испарения образца, для его деформации и т. д.
Э. включает в себя также вакуумную систему и блок электропитания, который содержит источники накала катода, высокого напряжения, питания электромагнитных линз и различных устройств, расположенных в камере объектов. Питающее устройство обеспечивает изменение ускоряющего напряжения по ступеням (например, в Э. «ЭР-100» 4 ступени: 25, 50, 75 и 100 кв ). Разрешающая способность Э. составляет тысячные доли Ǻ и зависит от энергии электронов, сечения электронного пучка и расстояния от образца до экрана, которое в современных Э. может изменяться в пределах 200—600 мм. В конструкции Э. предусмотрена система непосредственной регистрации интенсивности рассеянных электронов с помощью цилиндра Фарадея или вторичного электронного умножителя открытого типа.
В приборе, предназначенном для исследования дифракции медленных электронов, требуется поддерживать в колонне вакуум 10-8 —10-9мм рт. ст.
Лит.: Кушнир Ю. М., Алексеев Н. В., Левкин Н. П., Современные электронографы, «Приборы и техника эксперимента», 1967, № 1; Дворянкин В. Ф., Митягин А. Ю., Дифракция медленных электронов — метод исследования атомной структуры поверхностей, «Кристаллография», 1967, т. 12, в. 6. См. также лит. к ст. Электронография .
Р. М. Имамов.
Электронография
Электроногра'фия (от электрон и ...графия ), метод изучения структуры вещества, основанный на рассеянии ускоренных электронов исследуемым образцом. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул в газах и парах. Физическая основа Э. — дифракция электронов (см. Дифракция частиц ); при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Корпускулярно-волновой дуализм ), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются отдельные дифрагированные пучки. Интенсивности и пространственное распределение этих пучков находятся в строгом соответствии с атомной структурой образца, размерами и ориентацией отдельных кристалликов и другими структурными параметрами. Рассеяние электронов в веществе определяется электростатическим потенциалом атомов, максимумы которого в кристалле отвечают положениям атомных ядер.
Электронографические исследования проводятся в специальных приборах — электронографах и электронных микроскопах ; в условиях вакуума в них электроны ускоряются электрическим полем, фокусируются в узкий светосильный пучок, а образующиеся после прохождения через образец пучки либо фотографируются (электронограммы), либо регистрируются фотоэлектрическим устройством. В зависимости от величины электрического напряжения, ускоряющего электроны, различают дифракцию быстрых электронов (напряжение от 30—50 кэв до 1000 кэв и более) и дифракцию медленных электронов (напряжение от нескольких в до сотен в ).
Э. принадлежит к дифракционным структурным методам (наряду с рентгеновским структурным анализом и нейтронографией ) и обладает рядом особенностей. Благодаря несравнимо более сильному взаимодействию электронов с веществом, а также возможности создания светосильного пучка в электронографе, экспозиция для получения электронограмм обычно составляет около секунды, что позволяет исследовать структурные превращения, кристаллизацию и т. д. С другой стороны, сильное взаимодействие электронов с веществом ограничивает допустимую толщину просвечиваемых образцов десятыми долями мкм (при напряжении 1000—2000 кэв максимальная толщина несколько мкм ).
